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高精密双面光刻机(G-33D4型)试运行公告

发布时间 :2024-12-18 16:46  来源:

武汉大学科研公共服务条件平台化学院分平台高精密双面光刻机(G-33D4)已经安装调试完毕,即日起对校内开放试运行,欢迎校内师生预约使用!

一、基本参数

型号:G-33D4

厂家:成都鑫南光机械设备有限公司

曝光类型:双面对准单面曝光

曝光面积:≥110×110 mm

曝光强度:0~40 mw/cm2可调

曝光强度均匀性:≥97%;紫外光束角:≤3°

紫外光源:LED,紫外光中心波长:365 nm-460 nm

曝光方式:密着曝光,可实现硬接触、软接触和微分离曝光;底吹曝光

曝光分辨率:≤1 um

显微系统:正面对准采用双视场CCD立式显微镜,反面对准使用双视场CCD卧式显微镜,正分面CCD像素为200万倍

二、功能特色

高精密双面光刻机具有超高的对准精度,能将上下两面的图案精准对齐,误差控制在极小范围内,确保产品的一致性与可靠性。具有高分辨率成像系统,可清晰地将精细电路图案或微观结构投射到晶圆等基片上,实现微小尺寸的加工。具备先进的曝光技术,能稳定且均匀地进行曝光操作,适应不同材料与工艺需求。配备智能自动化控制系统,可精确调控各项参数,减少人为因素导致的误差。

三、应用领域

本设备主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。G-33D4能够精准地在晶圆两面加工电路图案,助力生产出高性能、高密度的芯片,推动电子设备的小型化与智能化。还能为微型传感器、执行器等精细部件的双面加工提供保障,在众多关键领域均有着极为重要的应用。

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地点:武汉大学化学与分子科学学院化南S104

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